hfe はコレクタ電流をベース電流で割った値。バイポーラトランジスタはベースエミッタ間に流れた電流に応じでコレクタ電流が増える素子なので、つまりこれは増幅率になる。(エミッタ電流はベース電流+コレクタ電流になる)

FET の場合これに相当するのは相互コンダクタンス。FET はゲートソース間にかける電圧に応じてドレイン電流が増える素子なので、同じようにドレイン電流をゲース電圧で割る (Isd / Vgs) った値が相互コンダクタンスと呼ばれる。なぜコンダクタンスかというと I/V という形が R (=V/I) の逆数すなわちコンダクタンスだから。

回路図記号における矢印は電流が流れる方向を差しているので、NPN 型バイポーラトランジスタでは Negative -> Positive <- Negative と、ベースに向かって伸びる矢印になる。PNP 型では Positive <- Negative -> Positive と、ベースから外に向かって伸びる矢印になる。

FET の場合、ゲートソース間にかける電圧は逆方向電圧なので、正電圧がかかっているほうに矢印が向く。ゲートに正電圧をかける場合、逆方向なのでFETはN(負)型になる。